產(chǎn)品展示
詳細資料：
德國IXYS三相整流橋
ABB變頻器整流模塊VUO86-16NO7
德國進(jìn)口IXYS整流橋VUO86-16NO7
北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IXYS三相整流橋VUO86-16NO7
三相整流橋VUO86-16NO7
VUO86-16NO7技術(shù)參數：IDAV=88A ；VRRM=1600V；IFSM=120A
整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
德國IXYS艾賽斯整流橋；IXYS三相整流橋；IXYS單相整流橋；IXYS全控整流橋；IXYS半控整流橋
IXYS公司是世界著(zhù)名的半導體廠(chǎng)家,成立于1983年, 總部設于加利福尼亞州,其產(chǎn)品括MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊,Hybrid和晶體管等.
IXYS的HiPer MOSFET , 由于內置了恢復速度快,恢復特性良好的二極管,在動(dòng)態(tài)和靜態(tài)狀態(tài)下, dv/dt的特性都得以提高,從而使HiPerFET在更惡劣的條件下也能安全工作,因此,它適合在各種感性負載作為開(kāi)關(guān)器件.
其中的Q-class MOSFET , 在此基礎上采用了新的芯片技術(shù),減少了門(mén)極充電電量Qg和米勒電容Crss,因而大大的提高了器件的開(kāi)關(guān)效率和頻率.
F-Class MOSFET , 主要在超高頻的開(kāi)關(guān)電源,射頻,激光等應用,操作頻率可達到150MHz , 該系列產(chǎn)品有低的門(mén)極充電電量 .
北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IXYS整流橋VUO86-16NO7
IXYS廠(chǎng)家 整流橋模塊
VUO16-12N01 VUO22-12N01 VUO25-12N08 VUO30-12N03
VUO16-16N01 VUO22-16N01 VUO25-16N08 VUO30-16N03
VUO28-06N07 VUO34-12N01 VUO35-12N07 VUO36-12N08
VUO28-12N07 VUO34-16N01 VUO35-16N07 VUO36-16N08
VUO 50-08NO3
VUO 50-12NO3
VUO 50-14NO3
VUO 50-16NO3
VUO 50-18NO3
VUO 52-08NO1
VUO 52-12NO1
VUO 52-14NO1
VUO 52-16NO1
VUO 52-18NO1
VUO 52-20NO1
VUO 52-22NO1
VUO 55-12NO7
VUO 55-14NO7
VUO 55-16NO7
VUO 55-18NO7
VUO 60-12NO3
VUO 60-14NO3
VUO 60-16NO3
VUO 60-18NO3
VUO 62-08NO7
VUO 62-12NO7
VUO 62-14NO7
VUO 62-16NO7
VUO 62-18NO7
VUO 64-16NO7
VUO 68-08NO7
VUO 68-12NO7
VUO 68-14NO7
VUO 68-16NO7
VUO 70-16NO7
VUO 80-08NO1
VUO 80-12NO1
VUO 80-14NO1
VUO 80-16NO1
VUO 80-18NO1
VUO 82-08NO7
VUO 82-12NO7
VUO 82-14NO7
VUO 82-16NO7
VUO 82-18NO7
VUO 84-16NO7
VUO 86-08NO7
VUO 86-12NO7
VUO 86-14NO7
VUO 86-16NO7
VUO 98-08NO7
VUO 98-12NO7
VUO 98-14NO7
VUO 98-16NO7
VUO 105-12NO7
VUO 105-14NO7
VUO 105-16NO7
VUO 105-18NO7
VUO 110-08NO7
VUO 110-12NO7
VUO 110-14NO7
VUO 110-16NO7
VUO 110-18NO7
VUO 120-12NO1
VUO 120-12NO2T
VUO 120-16NO1
VUO 120-16NO2T
VUO 121-16NO1
VUO 122-08NO7
VUO 122-12NO7
